摘要：国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN121752034B，授权公告日为2026年5月5日。申请公布号为CN121752034A，申请号为CN202610243328.9，申请公布日
5月8日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN121752034B，授权公告日为2026年5月5日。申请公布号为CN121752034A，申请号为CN202610243328.9，申请公布日期为2026年5月5日，申请日期为2026年3月2日，发明人祝君龙、刘哲儒，专利代理机构上海汉之律师事务所，专利代理师刘晓倩，分类号H10P74/00、H10P74/20、H10W20/40。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：多个并列设置的半导体器件，每个所述半导体器件包括设置在衬底内的至少一个第一阱区和设置在所述衬底上的金属互连结构，所述金属互连结构设置在介质层内；第二阱区，设置在相邻所述半导体器件的所述第一阱区之间的所述衬底内；绝缘层，设置在相邻所述半导体器件之间的所述介质层上，并向两侧延伸至部分所述金属互连结构上；钝化层，设置在所述绝缘层上；第一凹槽，设置在所述金属互连结构的表面，暴露部分所述金属互连结构；第二凹槽，环绕所述第一凹槽设置在所述金属互连结构上，且暴露部分所述绝缘层。本发明提供的半导体结构及其制备方法，能够减小环境湿度对结漏电流量测的影响。
晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址与办公地址均涉及安徽省合肥市。公司是国内领先的12英寸晶圆代工企业，具备先进工艺研发及应用能力，为客户提供多元制程节点的代工服务。
晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用行业先进工艺，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，属于汽车芯片、集成电路、半导体产业概念板块。
2025年，晶合集成营业收入108.85亿元，行业排名4/7，远低于第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹公司的172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。其主营业务构成中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。同期净利润4.66亿元，行业排名4/7，与第一名中芯国际的72.09亿元和第二名赛微电子的13.88亿元差距明显，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。
合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1铝衬垫制备方法及半导体发明专利公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕2一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛3半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健4套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平5半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛6LDMOS器件及其制备方法发明专利公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪7半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智8电容结构及其制造方法发明专利公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪9半导体测试结构及方法发明专利公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春10半导体测试结构及厚度测量方法发明专利公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋11图像传感结构、传感器及制备方法发明专利公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦12一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统发明专利公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟13机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610419232.32026-04-01CN121959064A2026-05-01李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清14一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610416662.X2026-04-01CN121968622A2026-05-01吴彬彬、朱瑶15一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610419234.22026-04-01CN121969040A2026-05-01牛昆龙、张晓亮16一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610407639.42026-03-31CN121969039A2026-05-01何杨、张劲17静电放电保护器件及其制作方法发明专利公布CN202610409574.72026-03-31CN121968726A2026-05-01王维安、程洋18半导体结构的制造方法和半导体结构发明专利公布CN202610380978.82026-03-26CN121968691A2026-05-01叶家顺、张浩、曹飞、董宗谕19金属互连层及其制备方法发明专利公布CN202610371023.62026-03-25CN121908875A2026-04-21运广涛、吴燕、苏圣哲、罗钦贤20一种电阻的测量结构、测量方法及集成电路发明专利公布CN202610361379.12026-03-24CN121899493A2026-04-21张培、季雨21MOS晶体管的电流比离群值判定装置及方法发明专利公布CN202610363491.92026-03-24CN121899472A2026-04-21牟田哲也22半导体结构及半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610360205.32026-03-24CN121908661A2026-04-21李猛猛23掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610345242.72026-03-20CN121888938A2026-04-17桑华煜、程洋、汪华24半导体结构的制造方法及半导体器件发明专利公布CN202610339571.02026-03-19CN121908612A2026-04-21运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲25一种半导体器件的测试结构及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610330738.72026-03-18CN121865901A2026-04-14尚正阳、王维安、程洋26静态存储器的最小工作电压的调整方法发明专利公布CN202610331131.02026-03-18CN121905249A2026-04-21田志锋27一种半导体器件及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610320005.52026-03-17CN121865655A2026-04-14尚正阳、王维安、杨宗凯28一种金属场板的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610324950.22026-03-17CN121865673A2026-04-14尚正阳、王维安29半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321343.02026-03-17CN121888607A2026-04-17康绍磊30一种半导体器件及其制备方法、集成电路发明专利公布CN202610320000.22026-03-17CN121908592A2026-04-21朱敏31一种水溶性防护膜及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610312126.52026-03-16CN121851828A2026-04-14葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、蔡马龙32一种防护膜及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610312129.92026-03-16CN121873627A2026-04-17葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、许雨芩33半导体FDC卡控分群的异常识别方法及系统发明专利公布CN202610306246.42026-03-13CN121834632A2026-04-10李惠玉、简炜宸34一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610303309.02026-03-13CN121843514A2026-04-10卢俊玮35半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610296701.72026-03-12CN121843508A2026-04-10李猛猛、任大雅、魏巍、唐鹏飞36MIM电容结构及其制备方法发明专利公布CN202610296709.32026-03-12CN121843133A2026-04-10方婧媛、洪繁、谢荣源37用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法发明专利公布CN202610295345.72026-03-11CN121815782A2026-04-07张浩、董宗谕、卞亚飞38孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法发明专利公布CN202610290291.52026-03-11CN121843506A2026-04-10唐鹏飞、魏巍、李猛猛39半导体结构的制造方法、半导体结构和图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610289492.32026-03-11CN121865716A2026-04-14张浩、董宗谕、王梦晴、卞亚飞40电性参数预测模型的训练方法、预测方法和相关装置发明专利公布CN202610286061.12026-03-10CN121808745A2026-04-07马姣、邱茹蒙、吴文豪、陈健、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒、王仲盛41掩模标记及生成方法、光刻方法、套刻误差的测量方法发明专利公布CN202610282910.62026-03-10CN121832192A2026-04-10门莹莹、黄玉、周立早42晶圆键合对准补偿方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610275407.82026-03-09CN121793825A2026-04-03伍德超、陈建松43一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610274800.52026-03-09CN121785058A2026-04-03赵志豪、李海峰、沈俊明44半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610276804.72026-03-09CN121843157A2026-04-10王文智、王仲盛45图像传感器及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610268737.42026-03-06CN121793475A2026-04-03王志伟、都智、马忠祥、谢荣源46半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610267257.62026-03-06CN121793655A2026-04-03王文智47半导体器件版图设计装置以及半导体器件版图设计方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610261372.22026-03-05CN121787361A2026-04-03大﨑秀史48一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610260995.82026-03-05CN121843156A2026-04-10李文超、杨智强、林子荏、张旭、俞洁49一种负偏压温度不稳定测试的测试执行方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610256197.82026-03-04CN121763040A2026-03-31董琳、王仲盛、徐畅、林淯慈、毛辰辰50半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610256764.X2026-03-04CN121793665A2026-04-03刘苏涛、林士闵、聂林辉
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